【半導体】東芝、電源電圧30％減の32ナノ世代対応LSIを試作［10/02/09］(48)
- 1 依頼＠台風０号φ ★ sage 2010/02/10(水) 00:10:30 ID:???
- 東芝は８日、電源電圧を従来比３０％減の０・７ボルトにする３２ナノメートル世代プロセス対応のＬＳＩを
試作したと発表した。低電圧化の課題だったＳＲＡＭの動作不良を防ぐ新回路技術を開発し、ＳＲＡＭの
不良率を１万分の１に減らした。ＬＳＩの消費電力は電源電圧の２乗に比例するため、低電圧化で消費電力は
ほぼ半減できる見込み。ＩＳＳＣＣで１０日に発表する。
開発した回路技術は、ＳＲＡＭ内部の信号電位を最適に制御し、不良率を減らす手法。これで設計効率を
大幅に改善した。
メモリーセル当たりの素子数を増やして動作を安定させる既存の手法は、セル面積が増大するなど
課題があった。
動作アシスト技術と呼ばれるＳＲＡＭの性能を高める方式を導入し、負の電位を生成する動作を自動で
決める仕組みを考案した。
▽ソース：日刊工業新聞 （2010/02/09）
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720100209eaaf.html
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